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1. 簡介
HC32F002 系列是一款基礎(chǔ)型通用的 32 位 MCU，具有寬電壓工作范圍。芯片集成 10 位 1Msps 高速 SAR ADC、高性能 PWM 定時器、低功耗 UART、SPI、I2C 等豐富的外設(shè)，具有高整合度、高可靠性、低功耗的特點。HC32F002 系列采用 Cortex-M0+內(nèi)核，主頻**到 48MHz，配合成熟的 Keil 和 IAR調(diào)試開發(fā)軟件，支持使用 C 語言及匯編語言開發(fā)。
-典型應(yīng)用
? 電機控制、電池管理
? 智能家居、**設(shè)備
? 安防報警、智能交通
? 傳感器模塊、無線模塊、貨架標(biāo)簽
2.系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
2.1 概述
本產(chǎn)品系統(tǒng)由以下部分組成：
? 1 個 AHB 總線 Master：
? Cortex-M0+
? 4 個 AHB 總線 Slaves：
? FLASH 存儲器
? SRAM 存儲器
? AHB0，AHB to APB Bridge 包含所有 APB 接口外設(shè)
? AHB1，包含所有 AHB 接口外設(shè)
整個系統(tǒng)總線結(jié)構(gòu)采用多層次 AHB-lite 總線互連實現(xiàn)。如下圖所示：
圖 2-1 系統(tǒng)架構(gòu)示意圖
2.2 存儲器和模塊地址分配
表 2-1 地址劃分表
3.工作模式
3.1 工作模式概述
本產(chǎn)品在電源管理模塊的控制下可實現(xiàn)三種工作模式。各工作模式下可工作的功能模塊及功耗各不相
同。
本產(chǎn)品的工作模式如下所示：
? 運行模式（Active Mode）： CPU 運行，片內(nèi)外設(shè)運行。
? 休眠模式（Sleep Mode）： CPU 停止，片內(nèi)外設(shè)運行。
? 深度休眠模式（Deep Sleep Mode）： CPU 停止，低功耗片內(nèi)外設(shè)運行。
3.2 工作模式切換
本產(chǎn)品工作時可在三種工作模式之間自由切換。在運行模式下執(zhí)行 WFI 指令，可使本產(chǎn)品進(jìn)入休眠模
式或深度休眼模式。從休眠模式或深度休眼模式通過中斷喚醒，回到運行模式。
圖 3-1 工作模式狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
在各種工作模式下，CPU 可響應(yīng)的中斷見下方表格。
在各種工作模式下，可響應(yīng)的復(fù)位信號見下方下表。
3.3 運行模式（Active Mode）
在該工作模式 MCU 所有功能模塊均正常工作，功耗**。
系統(tǒng)復(fù)位后或從中斷喚醒后，MCU 均工作于運行模式。
在運行模式下可通過一定的措施降低運行功耗：
? 為系統(tǒng)時鐘（SystemClk）選擇更低的頻率，修改 SysCtrl.CR0.ClkSrc
? 降低系統(tǒng)的內(nèi)核時鐘（HCLK）的頻率，修改 SysCtrl.CR0.HclkPrs
? 降低系統(tǒng)的片內(nèi)外設(shè)時鐘（PCLK）的頻率，修改 SysCtrl.CR0.PclkPrs
? 關(guān)閉未使用的片內(nèi)外設(shè)的時鐘，修改 SysCtrl.PeriClkEnx
3.4 休眠模式（Sleep Mode）
在該工作模式下 CPU 停止運行，其它片內(nèi)外設(shè)均正常工作，功耗**運行模式。
在運行模式下，設(shè)置 SCB->SCR.SLEEPDEEP 為 0，執(zhí)行 WFI 指令即可使 MCU 工作于休眠模式。當(dāng) MCU
響應(yīng)硬件中斷時，即可退出休眠模式回到運行模式。
在休眠模式下可通過一定的措施降低運行功耗：
? 為系統(tǒng)時鐘（SystemClk）選擇更低的頻率，修改 SysCtrl.CR0.ClkSrc
? 降低系統(tǒng)的內(nèi)核時鐘（HCLK）的頻率，修改 SysCtrl.CR0.HclkPrs
? 降低系統(tǒng)的片內(nèi)外設(shè)時鐘（PCLK）的頻率，修改 SysCtrl.CR0.PclkPrs
? 關(guān)閉未使用的片內(nèi)外設(shè)的時鐘，修改 SysCtrl.PeriClkEnx
? 設(shè)置 SCB_SCR.SLEEPONEXIT 為 1，使 MCU 執(zhí)行完成中斷服務(wù)程序后自動進(jìn)入休眠模式。
3.5 深度休眠模式（Deep Sleep Mode）
在該工作模式下 CPU 停止運行，片內(nèi)高速時鐘 RCH 自動關(guān)閉。如果 HCLK 來源為片內(nèi)高速時鐘，則片
內(nèi)高速外設(shè)停止運行，僅片內(nèi)低功耗外設(shè)正常工作；如果 HCLK 來源為片內(nèi)低速時鐘 RCL，則片內(nèi)外設(shè)
均正常工作。該模式下功耗遠(yuǎn)**休眠模式下的功耗。
若設(shè)置 SysCtrl.CR1.AutoSwitch 為 1，則 MCU 退出深度休眠模式時的系統(tǒng)時鐘的來源為 RCH，以實現(xiàn)
快速喚醒。
在運行模式下，設(shè)置 SCB_SCR.SLEEPDEEP 為 1，執(zhí)行 WFI 指令即可使 MCU 工作于深度休眠模式。當(dāng)
MCU 響應(yīng)硬件中斷時，即可退出深度休眠模式回到運行模式。
在休眠模式下可通過一定的措施降低運行功耗：
? 選擇高速時鐘作為系統(tǒng)時鐘（SystemClk），修改 SysCtrl.CR0.ClkSrc
? 關(guān)閉未使用的片內(nèi)低功耗外設(shè)的時鐘，修改 SysCtrl.PeriClkEnx
? 設(shè)置 SCB_SCR.SLEEPONEXIT 為 1，使 MCU 執(zhí)行完成中斷服務(wù)程序后自動進(jìn)入休眠模式。
3.6 功能模塊工作狀態(tài)
在三種工作模式下功能模塊的工作狀態(tài)對比如下表所示：
3.7 寄存器
3.7.1 系統(tǒng)控制寄存器（SCB_SCR）
地址：0xE000ED10
復(fù)位值：0x0000 0000
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