在功率MOSFET與散熱片組裝過程中，為達到漏極與散熱器的絕緣目的，普通的TO-220產品需采用絕緣片+絕緣粒子的方式。這種方式不但增加了材料和人工成本，同時其成品率與可靠性也難以得到保障，更會出現產線檢測時絕緣可以測試通過，而出廠后再出現絕緣失效的現象。

華羿威代理匯芯通電子為解決這一問題，前期主要是用TO-220F封裝，但由于其導熱、散熱能力差，在很多功率耗散大的場合難以全面推廣。近一年，內絕緣型封裝以其自身絕緣能力、較好的導熱、散熱性能得到了市場的認可。但內絕緣型封裝由于生產工藝復雜、框架與背面基板剝離強度差等問題。

西安后羿半導體以封裝技術為突破口，在TO-220F傳統封裝工藝上從結構和材料上進行了改進，推出的TO-220MF封裝，在保持自身絕緣耐壓的優良性能的同時，使其傳熱能力得到了大幅提高。

本實驗測試內絕緣型和后羿新型TO-220MF在同等功率耗散下，對比其導熱和散熱的能力。

在芯片性能（開關損耗、導通損耗）的前提下，新型MF封裝的熱擴散能力要內絕緣封裝。
另外強烈建議在使用內絕緣和MF封裝的產品時，**產品與散熱器的良好接觸，在接觸面上摸一層導熱硅脂，這是降低產品熱失效率的有效保障（匯芯通電子科技）。