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MOS管7N65產品主要參數產品型號：7N65H工作方式：7A/650V漏至源電壓：650V門到源電壓：±30V雪崩能源：14.7/230MJ操作和儲存溫度范圍:-55至150℃封裝..

我公司專業生產銷售低壓MOS管：AO3401 AO3400 SOT-23封裝、卷帶盤裝、**小包裝3K/盤，原裝環保、廠家！品質穩定The SD3401 uses advanced trench te..

日立能源ABB的 IGBT 功率模塊有單相、雙相/相臂、斬波器 IGBT 和雙二極管模塊，電壓范圍為 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模塊具有低損耗、軟..

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供應日立 5SNG 0300Q170300產品信息：1.可靠的輔助觸點的壓配合銷2.超低損耗堅固的壕溝IGBT芯片組3.NTC熱敏電阻4.用于低熱阻性的銅基板5行業標準包

型號：5SNG 0200Q170300單價：0.00元聯系人：陳經理聯系電話：15361865073

主要參數類別：MOS管品牌：捷捷微電/JJM型號：JMTK060P0**封裝：TO-252電壓： 30 V電流： 90 A內阻：RDS=6.4Ω VGS=10V--產品應用：JMTK060P0** 是一..

主要參數類別：MOS管品牌：捷捷微電/JJM型號：JMTP3008A封裝：SOP-8電壓： 30 V電流： 1**內阻：RDS=8mΩ VGS=10V--產品應用：JMTP3008A 是一款插件M..

主要參數類別：MOS管品牌：捷捷微電/JJM型號：JMTK320N10A封裝： TO-220F電壓： 100 V電流： 30 A內阻：RDS=1.2Ω VGS=10V--產品應用：JMTK320N10A..

公司經銷的產品有： 巴斯曼(Bussmann),西門子(Siemens)，法國羅蘭(FERRAZ),英飛凌（infineon）,歐派克（EUPEC）,西門康（SEMIKRON）,三菱(MITSUBISHI..

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場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝..

深圳市聚能芯半導體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產、工程服務為一體的綜合性公司。代理:泉芯（QXMD）、歐創芯（DCX）、芯龍(XLSEMI)。我們的優..

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描述：MODULE,DUAL THYRISTOR,2X**,1500 系列：- 結構：串聯 - 全部為 SCR SCR 數，二極管：2 SCRs 電壓 - 斷態：1400V 電流 - 柵極觸發 (Igt)（**..

FF450R12KT4 技術參數： • Ic(A),Tc=80℃ 450 •Vce(sat),Max(V) 2.15 •Ton(us) 0.18 •Toff(us) 0.54 •Rth(j-c),K/W..